摩擦起電是用摩擦的方法使兩個(gè)不同物體產(chǎn)生帶電的現(xiàn)象。絕緣體摩擦的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生較高的靜電電壓。相反，導(dǎo)體摩擦產(chǎn)生的離子很容易中和，難以聚集產(chǎn)生靜電。人體與化纖衣服摩擦，人體帶上正電荷，根據(jù)電荷尖端聚集規(guī)律，人體電荷向手指尖處聚集，靜態(tài)電壓幾千伏；人體與塑料、陶瓷、橡膠等物體摩擦，材料一般帶負(fù)電荷，靜電電壓可高達(dá)幾萬(wàn)伏。KOAN晶振在封裝、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過程中，殼體與其它絕緣材料相互磨擦，可能會(huì)使殼體帶電，存貯電荷。

1. 靜電放電以及危害性

無(wú)論是正負(fù)靜電，當(dāng)帶靜電物體接觸零電位物體（接地物體）或與其有電位差的物體時(shí)都會(huì)發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移，出現(xiàn)放電現(xiàn)象。如果極高的靜電電壓通過半導(dǎo)體放電，PN結(jié)承擔(dān)大部分電壓，可能PN結(jié)被擊穿，電壓轉(zhuǎn)移到電路中所有電阻分擔(dān)，哪里的電阻大，電壓就在哪里集中，也會(huì)產(chǎn)生瞬間高電流，很容易破壞IC。

因此，靜電放電很容易使帶IC的晶體振蕩器受損不能正常工作，如果靜電電壓過高，晶體諧振器的電極、導(dǎo)電膠、晶片都有可能遭到破壞完全失效，也可能造成帶傷工作造成隱患。并且靜電損傷難以與其他原因造成的損傷加以區(qū)別，掩蓋了失效的真正原因。

2. 如何有效防靜電

常見防護(hù)手段：工藝控制，接地，增加濕度，使用防靜電器具。執(zhí)行ESD20.20、IEC 61340、SJT 10694、MT 520等國(guó)際國(guó)內(nèi)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)能夠有效防范靜電危害。

最有效的措施是讓手經(jīng)常性直接觸摸放電器具放電，或者通過配帶防靜電有繩手腕帶隨時(shí)放電。

在儲(chǔ)存或運(yùn)輸過程中使用防靜電包裝，與帶電物體或帶電靜電場(chǎng)中隔離出來，阻止靜電釋放損傷發(fā)生。

3. 靜電放電的三種模式

由于人體會(huì)與各種物體間發(fā)生接觸和磨擦易帶靜電，當(dāng)與KOAN晶振接觸時(shí)，容易對(duì)晶振造成靜電損傷，大部分晶振靜電損傷是由人體靜電造成的。通過人體靜電放電模型測(cè)試，石英晶振靜電電壓耐受大于2000V。放電途徑：人體 → 晶振 → 地

晶振裝配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的過程中由于殼體與其它材料磨擦，殼體會(huì)帶靜電，帶靜電的殼體接地時(shí)，將通過芯體和引出腿對(duì)地放電。放電途徑：晶振 → 地

機(jī)器因?yàn)槟Σ粱蚋袘?yīng)也會(huì)帶靜電，帶電機(jī)器通過晶振放電也會(huì)對(duì)晶振造成損傷，通過帶靜電機(jī)器的放電模型測(cè)試，工作中的晶振耐受靜電放電電壓大于200V。放電途徑：機(jī)器 → 晶振 → 地

4. 三種模式的對(duì)比

HBM隨機(jī)性強(qiáng)，而MM和CDM一般都在固定位置發(fā)生且容易反復(fù)出現(xiàn)，同時(shí)由于放電模式的特殊性，且防靜電電路設(shè)計(jì)具有一定局限性，通常器件本身防CDM放電的能力較弱，是特別需要關(guān)注的對(duì)象。最初晶振ESD損傷主要采用了HBM進(jìn)行分析，隨著電子技術(shù)發(fā)展MM和CDM類型的靜電放電對(duì)器件的危害越來越受到重視。