發(fā)布時(shí)間:2023-06-25 閱讀次數(shù):625次
激勵(lì)功率的變化會(huì)引起晶體頻率和諧振阻抗的變化,S&A250B測(cè)試數(shù)據(jù)中的DLD2指的是:不同激勵(lì)電平下的負(fù)載諧振電阻的最大值與最小值的差值,值越小越好。
如果激勵(lì)功率過(guò)大可能破壞晶體的內(nèi)部機(jī)理,引起振蕩頻率異常、穩(wěn)定度下降、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象,更為嚴(yán)重的導(dǎo)致電極受損。在電路設(shè)計(jì)時(shí),KOAN小妹建議您確認(rèn)所使用的激勵(lì)等級(jí)絕對(duì)不超過(guò)最大激勵(lì)等級(jí)。如果激勵(lì)功率過(guò)低,也會(huì)帶來(lái)DLD問(wèn)題或者不起振。
除電路設(shè)計(jì)的因素,晶振制作過(guò)程中殘留應(yīng)力和制造污染也會(huì)造成DLD2值高。《晶振的制作過(guò)程》中,第七步“晶振焊封”中:無(wú)源諧振器真空密封/充氮?dú)?;有源晶振還需要加入芯片,用金線(xiàn)與底座各引腳連接,最后用真空密封/充氮?dú)狻8鄡?nèi)容:《無(wú)源和有源晶振的區(qū)別和辨別方法》
在沒(méi)有真空的情況下,晶振內(nèi)部存有少量水蒸氣,在低溫環(huán)境下會(huì)凝結(jié)成水滴附著于晶片表面。晶振內(nèi)部充氮?dú)鈨?yōu)于僅抽真空。氮?dú)馐欠乐箖?nèi)部金屬氧化,例如電極等,以進(jìn)一步提升晶振的穩(wěn)定性。
晶振頻率穩(wěn)定是振蕩電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)。振蕩電路設(shè)計(jì)中需要考慮的6大因素: