晶體兩引腳之間的電容，是以水晶為介質(zhì)，由兩個金屬電極形成的電容，和晶片電極面積(或晶體體積）大小和頻率大小正比。

表征振蕩能力，與晶片電極面積（或晶體體積）和頻率大小成正比。

表征振動質(zhì)量，與頻率大小成反比。

負(fù)載電容是選購晶體必選的參數(shù)之一。KX50為例：

晶體的頻率會根據(jù)串聯(lián)的電容電抗而改變。

• CL值大，遠(yuǎn)端相位噪聲好。如果過大，則會難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，不易起振。

• CL值小，近端相位噪聲好，容易調(diào)整頻率，容易起振。

如果晶體兩端的等效電容和標(biāo)稱負(fù)載電容存在差異，晶體輸出的頻率將會和標(biāo)稱工作頻率產(chǎn)生偏差，叫做頻偏。所以，電路匹配電容CL1 CL2加上電路的雜散電容Cstray，越接近晶體的負(fù)載電容CL，晶體輸出的頻率則越精準(zhǔn)。

負(fù)載電容和匹配電容的公式如下：

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常溫25°C下，一定的負(fù)載電容的晶體頻率公差，加工誤差。

在一定溫度變化范圍內(nèi)的頻率變化量。

激勵功率變化引起的諧振阻抗變化（由殘留應(yīng)力和制造污染造成）。DLD2的值越小越好。