芯片Xin和Xout內(nèi)部一般是施密特反相器，反相器不能驅(qū)動(dòng)晶體振蕩，需要并聯(lián)一個(gè)電阻，即并聯(lián)電阻Rf。電阻完成輸出信號(hào)反向180度反饋到輸入端進(jìn)行負(fù)反饋，構(gòu)成負(fù)反饋放大電路Amp。KHz晶振電路Rf為10MΩ左右；MHz晶振電路Rf為1MΩ左右。如果沒(méi)有加Rf，晶振電路也可能會(huì)起振，但存在不起振或者停振的隱患。

串聯(lián)電阻Rd連接在晶振的輸入或輸出端，用于限制輸出電流，防止晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。這有助于防止損耗并提高晶振的可靠性。晶振過(guò)分驅(qū)動(dòng)會(huì)使頻率上升，導(dǎo)致晶振早期失效。Rd用來(lái)調(diào)整激勵(lì)電平。Rd具體大小需要根據(jù)驅(qū)動(dòng)程度進(jìn)行調(diào)整。